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Vishay威世VS-MBR6045WT-N3肖特基二極管陣列,45V/30A雙共陰極,TO-247AC封裝
Vishay VS-MBR6045WT-N3肖特基二極管陣列技術(shù)解析與應(yīng)用指南產(chǎn)品概述Vishay威世半導(dǎo)體推出的VS-MBR6045WT-N3是一款專為高效能電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的肖特基二極管陣列,屬于其高 ...
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產(chǎn)品簡介 / Introduction

Vishay VS-MBR6045WT-N3肖特基二極管陣列技術(shù)解析與應(yīng)用指南

產(chǎn)品概述

Vishay威世半導(dǎo)體推出的VS-MBR6045WT-N3是一款專為高效能電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的肖特基二極管陣列,屬于其高性能整流器產(chǎn)品線。該器件采用雙共陰極結(jié)構(gòu)1 Pair Common Cathode),集成兩個獨(dú)立肖特基二極管,共享負(fù)極引腳,適用于半波或全波整流拓?fù)?。其核心?yōu)勢在于極低的正向壓降(典型值620mV@30A)和快速恢復(fù)特性≤500ns),顯著降低開關(guān)損耗并提升能效。封裝采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247AC(三引腳通孔式),兼具機(jī)械強(qiáng)度與散熱性能,滿足高功率密度設(shè)計(jì)需求。

關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)詳解

1. 電氣特性

§ 電壓與電流規(guī)格:支持最大反向電壓45V(DC),每二極管平均整流電流30A,峰值浪涌電流高達(dá)2.9kA,確??箾_擊可靠性。

§ 能效表現(xiàn):正向壓降(Vf)典型值為0.55V@30A,最大值不超過0.75V,優(yōu)于普通硅二極管,減少導(dǎo)通損耗。

§ 漏電控制:反向漏電流低至1mA@45V,高溫環(huán)境下穩(wěn)定性突出。

2. 熱管理與可靠性

§ 寬溫域操作:結(jié)溫(Tj)范圍覆蓋-55°C至150°C,適應(yīng)工業(yè)級環(huán)境要求。150°C高溫下仍可穩(wěn)定運(yùn)行,得益于威世專利勢壘技術(shù)和高純度環(huán)氧樹脂封裝。

§ 封裝設(shè)計(jì)TO-247AC提供20.7mm×15.87mm×5.31mm的緊湊尺寸,同時通過內(nèi)部防護(hù)環(huán)(Guard Ring)增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度與長期可靠性。

3. 動態(tài)性能

§ 快速恢復(fù)特性(≤500ns)支持高頻開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器),減少反向恢復(fù)電流引發(fā)的噪聲和損耗。

典型應(yīng)用場景

該二極管陣列針對以下場景優(yōu)化:

· 開關(guān)電源(SMPS):作為次級側(cè)整流器,提升AC/DC適配器能效。

· 電機(jī)驅(qū)動與逆變器:用于續(xù)流二極管(Freewheeling Diode),吸收感性負(fù)載的反電動勢。

· 電池保護(hù)電路:支持反向極性保護(hù),防止誤接導(dǎo)致的設(shè)備損壞。

· 太陽能充電控制器:高效整流MPPT輸出,減少熱損耗。

產(chǎn)品優(yōu)勢與競品差異化

· 能效領(lǐng)先620mV@30A的Vf值比同規(guī)格硅二極管低50%以上,顯著降低溫升。

· 魯棒性設(shè)計(jì):通過JEDEC JESD47認(rèn)證,符合Halogen-Free標(biāo)準(zhǔn)(-N3后綴型號),確保環(huán)保與長期耐用性。

· 兼容性TO-247AC封裝與主流散熱器兼容,簡化升級替換流程。

結(jié)語

VS-MBR6045WT-N3體現(xiàn)了威世在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力,為工程師提供了兼顧高效、可靠與緊湊的整流解決方案。其低導(dǎo)通損耗和寬溫域特性,特別適用于新能源、工業(yè)自動化等高要求場景,助力下一代電源系統(tǒng)突破能效瓶頸。

 

 

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