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SMA封裝玻璃鈍化整流二極管GS1K-T3
GS1K-T3整流二極管:高耐壓與高可靠性的工業(yè)級(jí)解決方案產(chǎn)品概述GS1K-T3是一款表面貼裝(SMD)玻璃鈍化標(biāo)準(zhǔn)整流二極管,由臺(tái)灣半導(dǎo)體制造商Won-Top Electronics(毅星電子)&n ...
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 / Introduction

GS1K-T3整流二極管:高耐壓與高可靠性的工業(yè)級(jí)解決方案

產(chǎn)品概述

GS1K-T3是一款表面貼裝(SMD)玻璃鈍化標(biāo)準(zhǔn)整流二極管,由臺(tái)灣半導(dǎo)體制造商Won-Top Electronics(毅星電子) 設(shè)計(jì)生產(chǎn)。其核心采用玻璃鈍化晶圓工藝,結(jié)合DO-214AC(SMA)封裝結(jié)構(gòu),在高溫和高壓環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。該器件通過(guò)UL 94V-0阻燃認(rèn)證,并內(nèi)置應(yīng)力釋放設(shè)計(jì),適配自動(dòng)化貼裝產(chǎn)線,大幅提升生產(chǎn)效率。

核心參數(shù)與技術(shù)創(chuàng)新

GS1K-T3的電氣性能針對(duì)工業(yè)嚴(yán)苛環(huán)境優(yōu)化,關(guān)鍵參數(shù)包括:

· 高反向耐壓800V重復(fù)峰值反向電壓(VRRM),可抵御電網(wǎng)波動(dòng)和瞬時(shí)高壓沖擊。

· 大電流支持1A平均整流電流(Io),浪涌電流承受力高達(dá)30A峰值,適應(yīng)電機(jī)啟動(dòng)等瞬態(tài)過(guò)載場(chǎng)景。

· 高效能設(shè)計(jì):正向壓降僅1V@1A,減少導(dǎo)通損耗;反向漏電流低至5μA@800V,提升能源轉(zhuǎn)換效率。

· 快速響應(yīng):標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)時(shí)間(>500ns),平衡開(kāi)關(guān)損耗與電磁兼容性。

封裝技術(shù)方面,SMA(DO-214AC)結(jié)構(gòu)融合三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)

1. 散熱強(qiáng)化:環(huán)氧樹(shù)脂/塑料復(fù)合材質(zhì)提升熱傳導(dǎo)效率;

2. 機(jī)械穩(wěn)固C形引腳彎折設(shè)計(jì)緩解熱應(yīng)力,防止焊接開(kāi)裂;

3. 微型化3.5mm×2.0mm尺寸節(jié)省PCB空間。

應(yīng)用場(chǎng)景深度適配

憑借高可靠性和寬溫適應(yīng)性(-65°C~175°C結(jié)溫),GS1K-T3被廣泛部署于以下領(lǐng)域:

1. 工業(yè)電源模塊
AC/DC轉(zhuǎn)換器中擔(dān)任輸入整流角色,將交流電轉(zhuǎn)換為直流母線電壓。其800V耐壓兼容380V三相電系統(tǒng),且玻璃鈍化工藝抑制高溫漏電,保障電源長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

2. 變頻驅(qū)動(dòng)與電機(jī)控制
用于變頻器整流橋,為IGBT逆變電路提供直流電源。30A浪涌能力應(yīng)對(duì)電機(jī)啟停電流峰值,降低燒毀風(fēng)險(xiǎn)。

3. 通信基礎(chǔ)設(shè)施
5G基站電源和路由器PDU模塊中,其低漏電特性(5μA)減少待機(jī)能耗,符合綠色通信標(biāo)準(zhǔn)。

4. 消費(fèi)電子
適配電視/音響電源板,在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)1000V級(jí)抗電壓波動(dòng)能力(部分型號(hào)衍生版本)。

品牌技術(shù)底蘊(yùn)

Won-Top Electronics(毅星電子) 自1992年起專(zhuān)注分立半導(dǎo)體研發(fā),擁有臺(tái)灣高雄設(shè)計(jì)中心及上海/山東生產(chǎn)基地。其技術(shù)優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在:

· 代工工藝:聯(lián)合領(lǐng)先晶圓廠優(yōu)化玻璃鈍化技術(shù),降低界面電荷缺陷;

· 封裝專(zhuān)利DO-214AC封裝集成散熱增強(qiáng)結(jié)構(gòu),熱阻低于競(jìng)品15%;

· 品控體系:車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)線標(biāo)準(zhǔn)(支持AEC-Q101認(rèn)證需求),累計(jì)出貨超90億件。

參數(shù)規(guī)格詳述

下表匯總關(guān)鍵電氣特性:

參數(shù)名稱(chēng)

參數(shù)值

反向重復(fù)峰值電壓

800V

平均整流電流

1A

正向壓降 (Vf@1A)

1V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)

2.5μs(典型值)

反向漏電流 (Ir@800V)

5μA

結(jié)溫范圍

-65°C ~ 175°C

封裝兼容性

SMA (DO-214AC)

*注:動(dòng)態(tài)電容15pF@4V/1MHz,適用于高頻濾波旁路設(shè)計(jì)。*

結(jié)語(yǔ)

GS1K-T3以工業(yè)級(jí)耐久性微型化封裝重塑了中小功率整流標(biāo)準(zhǔn)。其玻璃鈍化技術(shù)與SMA封裝的協(xié)同設(shè)計(jì),為工程師提供抗高壓沖擊、低熱阻的緊湊型解決方案。在碳化硅(SiC)器件興起的背景下,硅基GS1K-T3仍憑借成本優(yōu)勢(shì)與工藝成熟度,持續(xù)服務(wù)全球電源管理、工業(yè)自動(dòng)化及通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。

 

 

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